2025年1月2日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司取得一项名为“半导体封装结构”的专利，授权公告号CN 222233627 U，申请日期为2024年1月。

　　专利摘要显示，本实用新型提供了一种半导体封装结构，涉及芯片封装技术领域，该半导体封装结构包括基底布线层、第一芯片、第一塑封层、转接布线层、基板、第二芯片和第二塑封层，第一芯片贴设在基底布线层上；第一塑封层设置在基底布线层上，并包覆在第一芯片外；转接布线层设置在塑封层上；基板设置在转接布线层上；第二芯片贴设在基板上；第二塑封层设置在基板上，并包覆在第二芯片外；其中，基板和第一芯片之间还设置有散热金属柱，散热金属柱连接至基板。相较于现有技术，本实用新型提供的半导体封装结构，通过额外设置散热金属柱，该散热金属柱连接至基板，能够将第二芯片产生的热量传递至散热通道并带走，大幅提升散热能力，保证产品性能。